8月1日，應新疆理化所固體輻射物理研究室邀請，西安電子科技大學副校長張進成教授訪問新疆理化所并開展學術交流。固體輻射物理研究室科研人員及研究生參加了此次交流活動。

張進成教授做了題為《寬禁帶半導體射頻與功率器件技術新發展》的學術報告，介紹了以氮化鎵為代表的寬禁帶半導體射頻功率器件和電力電子器件進展及發展趨勢。當前已應用的射頻和功率器件技術遠未發揮出寬禁帶半導體的最大性能潛力，近年來各種新方法、新結構、新工藝不斷得到提出與發展，推動寬禁帶半導體射頻和功率器件技術持續提升，為延續寬禁帶半導體“摩爾定律”提供了更多的新途徑。報告內容豐富、深入淺出，參會師生進行了熱烈的討論。會后張進成教授參觀了固體輻射物理研究室。

張進成，西安電子科技大學副校長，教授，國家自然基金杰出青年基金獲得者，教育部長江學者特聘教授。長期從事寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件研究，發表論文400余篇，SCI他引6000余次，授權發明專利100余項，出版專著3部，獲國家技術發明二等獎2項和何梁何利基金科學與技術創新獎。

報告會現場

參觀實驗室